ローム、8インチSiCの高性能化を達成

ロームは8インチSiCウェハ向けの高品質なエピタキシャル成長技術と低オン抵抗化技術を確立し、両技術を統合した8インチ製造ラインの開発に成功しました。NEDOの委員会で技術目標の達成が確認され、当初計画より2年前倒しで事業を完了したと伝えられています。今後は社会実装フェーズに移行する見通しです。

ロームは8インチSiCウェハに対応するエピタキシャル成長技術と低オン抵抗化技術を確立し、これらを統合した8インチSiC製造ラインの開発に成功したと発表しました。該当事業はNEDOのグリーンイノベーション基金の下で採択された「次世代パワー半導体デバイス製造技術開発」プロジェクトに基づく取り組みです。開発したSiCデバイスは同社のモジュールに搭載して性能評価が行われ、外部有識者で構成するNEDOの委員会で目標達成が確認されたと伝えられています。当初は2022年度から2027年度までの計画でしたが、今回の確認により2年前倒しで事業を完了した形になりました。 発表で整理された点： ・エピタキシャル成長技術と低オン抵抗化技術を8インチウェハ向けに確立したこと。 ・両技術を統合した8インチSiC製造ラインの構築に成功したこと。 ・製造したSiCパワーデバイスを自社モジュールに搭載し性能評価を実施したこと。 ・NEDOの委員会で技術目標の達成が確認され、当初計画より2年前倒しで事業が完了したと伝えられていること。 ・今後は社会実装フェーズへ移行し、本格生産に向けた取り組みを進める意向であること。 まとめ： ロームの発表は、8インチSiCに関するプロセス技術と製造技術の統合が一定の評価を受けたことを示しています。影響としては、同ラインを活用した製品の歩留まり改善や低オン抵抗化による省エネ・小型化への寄与が想定されますが、具体的な生産時期や量産計画の詳細は現時点では未定とされています。