TFLN量産の動き

薄膜ニオブ酸リチウム（TFLN）を活用した光通信デバイスの量産連携が活発化しています。米ハイパーライトと台湾UMCはAIデータセンター向けの量産で提携し、国内のアルバックもSALとTFLN技術で連携しています。ハイパーライトは1.6Tbpsで消費電力20Wの実証に成功したと伝えられています。

薄膜ニオブ酸リチウム（TFLN）を用いた光半導体の量産に向けた国際的な動きが目立っています。AIデータセンターの処理能力向上と消費電力低減を両立するため、TFLNベースのフォトニック集積回路の採用が注目されています。米ハイパーライトと台湾UMCはAIデータセンター向けの量産戦略で提携を発表しました。国内ではアルバックがオーストリアの研究機関と連携し、量産技術の開発を進めています。 報じられている点： ・ハイパーライトとUMCが3月12日にAIデータセンター向けTFLN光通信デバイスの量産で戦略提携を発表したとされています。 ・ハイパーライトはTFLNチップレットで、消費電力を20Wに抑えた1.6Tbpsのトランシーバーの実証に成功したと伝えられています。 ・UMCは子会社ウェーブテックやEMS大手のジェイビルと協業し、150mmおよび200mmの生産能力を使って量産を進める計画が示されています。 ・TFLNはレーザー数を減らせるなど光系構成の複雑性を抑えつつ、広帯域・低損失・高い電力効率が期待されるとされています。 ・アルバックはシリコン・オーストリア・ラボ（SAL）と2024年に連携を発表し、プラズマエッチング装置の導入や200mm基板による製造プロセス確立を目指しています。 まとめ： TFLNをめぐる企業間の提携は、AIデータセンターにおける高速化と省電力化に直結する技術面での進展を示しています。現時点では量産開始の具体的な時期や市場展開の詳細は未定で、今後の公式発表やプロジェクトの進捗が注目されます。