ルネサスとGF、次世代車向け半導体を共同製造へ

ルネサスと米グローバルファウンドリーズ（GF）が次世代車向け半導体の共同製造で合意しました。GFは回路線幅12〜28ナノの技術を提供し、ルネサスはADASやEV向けに設計。26年半ばからGFの拠点で生産を始め、国内工場への技術移管も検討すると伝えられています。

ルネサスエレクトロニクスと米グローバルファウンドリーズ（GF）は、次世代車向けの半導体を共同で製造すると発表しました。GFが回路線幅12〜28ナノの製造技術を提供し、ルネサスがADASやEV向けの専用半導体を設計します。26年半ばからGFの米国やドイツ、シンガポール、中国の拠点や協力工場で生産を始める予定と伝えられています。将来的にはGFの技術をルネサスの国内工場へ移管することも検討するとされています。 報じられている点： ・GFが回路線幅12〜28ナノの製造技術を提供する。 ・ルネサスがレーダーやバッテリー監視、通信機能などを想定した半導体を設計し、GFに製造委託する。 ・生産は26年半ばからGFの米国、ドイツ、シンガポール、中国の拠点や協力工場で開始する見込みである。 ・ルネサスは茨城県などの自社工場で40ナノまでの成熟技術を生産しており、高性能品は外部に委託する「ファブライト」戦略を取っている。 ・GFは電力効率の高い用途特化型技術や、電圧制御と動作制御を一つのチップに収める技術を持ち、車両の温度変化や大容量通信に対応できるとされている。 ・将来的な国内工場への技術移管は検討段階であると伝えられている。 まとめ： ルネサスとGFの協業は、ADASやEV向けの専用半導体を海外のGF拠点で生産する計画であり、26年半ばの生産開始が予定されています。GFの微細化技術が国内に移管されれば、従来より微細な演算用半導体の国内生産につながる可能性がありますが、移管の是非や時期は現時点では検討中とされています。